| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Козлова, О. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2014-09-01T08:37:12Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-19T09:38:53Z | - |
| dc.date.available | 2014-09-01T08:37:12Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-19T09:38:53Z | - |
| dc.date.issued | 2014 | - |
| dc.identifier.citation | Козлова, О. А. Электронные свойства квазидвухмерных структур халькогенидов переходных металлов V группы / О. А. Козлова // Международная научно-техническая конференция, приуроченная к 50-летию МРТИ–БГУИР : материалы конференции, Минск, 18–19 марта 2014 г. : в 2 ч. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: А. Н. Осипов [и др.]. – Минск, 2014. – Ч. 2. – C. 46–47. | ru_RU |
| dc.identifier.isbn | 978-985-543-038-5 | - |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/642 | - |
| dc.description.abstract | Представлен анализ результатов теоретических и прикладных исследований по изучению электронных и магнитных свойств квазидвухмерных структур халькогенидов переходных материалов V группы (MeX2, где Me - V, Nb, Ta, X - S, Se, Te) в том числе, полученных с использованием первопринципных методов моделирования | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | квазидвухмерные структуры | ru_RU |
| dc.subject | халькогениды переходных материалов | ru_RU |
| dc.subject | электронные свойства | ru_RU |
| dc.subject | микроэлектронные устройства | ru_RU |
| dc.title | Электронные свойства квазидвухмерных структур халькогенидов переходных металлов V группы | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | Секция «Микро- и наноэлектроника»
|
