Интегрированные пленочные системы в твердотельных структурах диоидов Шоттки

Abstract

Актуальность исследования обусловлена тем, что для силовой электроники характерным является существенное упрощение активной твёрдотельной структуры, в частности, использование структур без p-n переходов, таких как диоды Шоттки. Это позволяет снизить потери мощности на кристалле при протекании прямого тока. В работе исследованы контакты Шоттки на основе различных переходных материалов с учетом требований к высоте барьера, стабильности и устойчивости к повышенным температурам эксплуатации.