DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Солодуха, В. А. | - |
dc.contributor.author | Баранов, В. В. | - |
dc.contributor.author | Комаров, Ф. Ф. | - |
dc.contributor.author | Мильчанин, О. В. | - |
dc.contributor.author | Сарычев, О. Э. | - |
dc.contributor.author | Соловьев, Я. А. | - |
dc.contributor.author | Турцевич, А. С. | - |
dc.contributor.author | Фоменко, Н. К. | - |
dc.date.accessioned | 2014-09-01T08:57:47Z | - |
dc.date.accessioned | 2017-07-19T09:38:55Z | - |
dc.date.available | 2014-09-01T08:57:47Z | - |
dc.date.available | 2017-07-19T09:38:55Z | - |
dc.date.issued | 2014 | - |
dc.identifier.citation | Интегрированные пленочные системы в твердотельных структурах диоидов Шоттки / В. А. Солодуха, В. В. Баранов, Ф. Ф. Комаров [и др.] // Международная научно-техническая конференция, приуроченная к 50-летию МРТИ–БГУИР : материалы конференции, Минск, 18–19 марта 2014 г. : в 2 ч. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: А. Н. Осипов [и др.]. – Минск, 2014. – Ч. 2. – C. 56–57. | ru_RU |
dc.identifier.isbn | 978-985-543-038-5 | - |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/643 | - |
dc.description.abstract | Актуальность исследования обусловлена тем, что для силовой электроники характерным является существенное упрощение активной твёрдотельной структуры, в частности, использование структур без p-n переходов, таких как диоды Шоттки. Это позволяет снизить потери мощности на кристалле при протекании прямого тока. В работе исследованы контакты Шоттки на основе различных переходных материалов с учетом требований к высоте барьера, стабильности и устойчивости к повышенным температурам эксплуатации. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
dc.subject | диоды Шоттки | ru_RU |
dc.subject | микроструктура | ru_RU |
dc.subject | электрофизические свойства | ru_RU |
dc.title | Интегрированные пленочные системы в твердотельных структурах диоидов Шоттки | ru_RU |
dc.type | Article | ru_RU |
Appears in Collections: | Секция «Микро- и наноэлектроника»
|