| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Логунов, К. Т. | - |
| dc.contributor.author | Михолап, А. А. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-07-06T07:31:08Z | - |
| dc.date.available | 2026-07-06T07:31:08Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Логунов, К. Т. Влияние режимов очистки в высокоплотной плазме аргона на морфологию и свойства поверхности подложек монокристаллического кремния = The Influence of Cleaning Parameters in High-Density Argon Plasma on the Morphology and Surface Properties of Monocrystalline Silicon Substrates / К. Т. Логунов, А. А. Михолап // Доклады БГУИР. – 2026. – Т. 24, № 3. – С. 44–51. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/64440 | - |
| dc.description.abstract | Исследовано влияние параметров высокоплотной индуктивно-связанной плазмы аргона на морфологию и характеристики поверхности подложек монокристаллического кремния. Обработка образцов проводилась в диапазоне мощностей высокочастотного источника от 100 до 1000 Вт при длительности очистки до 300 с. Морфология поверхности анализировалась методом атомно-силовой микроскопии с последующим исследованием краевого угла смачивания и работы адгезии. Отмечено влияние очистки в высокоплотной плазме на поверхностную энергию. Установлено, что эффективные параметры очистки для получения минимальной шероховатости и удаления загрязнений без повреждения поверхности –
это мощность разряда 300–500 Вт и длительность воздействия 60–120 с. Полученные данные могут быть использованы при подборе режимов плазменной очистки подложек монокристаллического кремния в технологических процессах микроэлектроники. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | доклады БГУИР | en_US |
| dc.subject | атомно-силовая микроскопия | en_US |
| dc.subject | монокристаллический кремень | en_US |
| dc.subject | микроэлектроника | en_US |
| dc.title | Влияние режимов очистки в высокоплотной плазме аргона на морфологию и свойства поверхности подложек монокристаллического кремния | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| dc.identifier.DOI | http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2026-24-3-44-51 | - |
| local.description.annotation | The influence of high-density inductively coupled argon plasma parameters on the morphology and surface characteristics of single-crystal silicon substrates was studied. Samples were treated with high-frequency source powers ranging from 100 to 1000 W, with cleaning times of up to 300 s. Surface morphology was analyzed using atomic force microscopy, followed by a study of the contact angle and adhesion work. The effect of high-density plasma cleaning on surface energy was noted. It was found that effective cleaning parameters for achieving minimal roughness and removing contaminants without damaging the surface include a discharge
power of 300–500 W and an exposure time of 60–120 s. The obtained data can be used to select plasma cleaning modes for single-crystal silicon substrates in microelectronics processes. | en_US |
| Appears in Collections: | Том 24, № 3
|
