| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Стремоус, Д. В. | - |
| dc.contributor.author | Данилюк, А. Л. | - |
| dc.date.accessioned | 2014-09-01T09:11:13Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-19T09:38:53Z | - |
| dc.date.available | 2014-09-01T09:11:13Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-19T09:38:53Z | - |
| dc.date.issued | 2014 | - |
| dc.identifier.citation | Стремоус, Д. В. Динамика переключения элемента резистивной памяти / Д. В. Стремоус, А. Л. Данилюк // Международная научно-техническая конференция, приуроченная к 50-летию МРТИ–БГУИР : материалы конференции, Минск, 18–19 марта 2014 г. : в 2 ч. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: А. Н. Осипов [и др.]. – Минск, 2014. – Ч. 2. – C. 71–72. | ru_RU |
| dc.identifier.isbn | 978-985-543-038-5 | - |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/644 | - |
| dc.description.abstract | Рассчитаны ВАХ, пороговое напряжение переключения и сопротивление элемента резистивной памяти (RRAM) в зависимости от сокрости нарастания внешнего смещения и рабочей температуры. Предложенная аналитическая модель адаптирована для использования в пакете самотехнического моделирования SPICE. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | резистивная память | ru_RU |
| dc.subject | SPICE моделирование | ru_RU |
| dc.subject | пороговое напряжение | ru_RU |
| dc.title | Динамика переключения элемента резистивной памяти | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | Секция «Микро- и наноэлектроника»
|
