| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Масейкова, Д. Д. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-07-13T08:44:24Z | - |
| dc.date.available | 2026-07-13T08:44:24Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Масейкова, Д. Д. Удаление фоторезиста в плазме СВЧ с пластин больших площадей = Microwave plasma photoresist removal from large-area wafers / Д. Д. Масейкова // Электронные системы и технологии : сборник материалов 62-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 13–17 апреля 2026 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: П. В. Камлач [и др.]. – Минск, 2026. – С. 302–304. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/64576 | - |
| dc.description.abstract | Экспериментально и теоретически рассмотрен процесс удаления фоторезиста с поверхности полупроводниковых пластин больших площадей в условиях микроволновой плазмы. Показано, что равномерность очистки определяется распределением плотности плазмы, параметрами СВЧ-излучения и температурными условиями обработки. Предложены подходы к оптимизации параметров плазменного разряда и конструкции реактора, позволяющие повысить однородность удаления фоторезиста при обработке крупноформатных подложек. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | фоторезисты | en_US |
| dc.subject | полупроводниковые пластины | en_US |
| dc.subject | плазменная обработка | en_US |
| dc.title | Удаление фоторезиста в плазме СВЧ с пластин больших площадей | en_US |
| dc.title.alternative | Microwave plasma photoresist removal from large-area wafers | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | The process of removing photoresist from the surface of large-area semiconductor wafers under microwave plasma conditions is examined experimentally and theoretically. It is shown that the uniformity of removal is determined by the plasma density distribution, microwave radiation parameters, and processing temperature conditions. Approaches to optimizing plasma discharge parameters and reactor design are proposed, allowing for improved photoresist removal uniformity during processing of large-format wafers. | en_US |
| Appears in Collections: | Электронные системы и технологии : материалы 62-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2026)
|
