| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Полубок, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Москаленко, К. А. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-07-13T09:25:11Z | - |
| dc.date.available | 2026-07-13T09:25:11Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Полубок, А. В. Выращивания алмазных подложек методом химического осаждения из газовой фазы = Chemical vapor deposition of single-crystal diamond substrates / А. В. Полубок, К. А. Москаленко // Электронные системы и технологии : сборник материалов 62-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 13–17 апреля 2026 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: П. В. Камлач [и др.]. – Минск, 2026. – С. 289–290. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/64581 | - |
| dc.description.abstract | В статье кратко рассмотрен метод химического осаждения из газовой фазы (CVD) для синтеза алмазных подложек. Определены главные проблемы в создании больших монокристаллических алмазных структур. Изучены технологические особенности гетероэпитаксиального роста и модификация путём введения примесей в процессе синтезе. Подчёркивается важность контроля за строением кристаллической решётки в процессе выращивания. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | алмазы | en_US |
| dc.subject | подложки | en_US |
| dc.subject | гетероэпитаксия | en_US |
| dc.subject | монокристаллические плёнки | en_US |
| dc.subject | легирование | en_US |
| dc.title | Выращивания алмазных подложек методом химического осаждения из газовой фазы | en_US |
| dc.title.alternative | Chemical vapor deposition of single-crystal diamond substrates | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | The article analyzes in detail the chemical vapor deposition (CVD) method for the synthesis of diamond substrates. The main problems in creating large single-crystal structures are identified. The technological features of heteroepitaxial growth and the modification of properties by adding impurities during synthesis are studied. The importance of controlling the crystal lattice structure during the growth process is emphasized. | en_US |
| Appears in Collections: | Электронные системы и технологии : материалы 62-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2026)
|
