| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Журавская, Е. А. | - |
| dc.contributor.author | Гололобов, Н. С. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-07-17T06:14:01Z | - |
| dc.date.available | 2026-07-17T06:14:01Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Журавская, Е. А. Перспективные полупроводниковые материалы для микроэлектроники = Promising semiconductor materials for microelectronics / Е. А. Журавская, Н. С. Гололобов // Электронные системы и технологии : сборник материалов 62-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 13–17 апреля 2026 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: П. В. Камлач [и др.]. – Минск, 2026. – С. 1018–1019. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/64709 | - |
| dc.description.abstract | Рассмотрены три перспективных класса полупроводниковых материалов, способных сформировать элементную базу электроники: широкозонные полупроводники (SiC, GaN) для силовой и высокочастотной электроники; соединения A3B5 (GaAs, InP) для оптоэлектроники и СВЧ-устройств; двумерные материалы (графен, MoS2) с уникальными свойствами, но сложностями внедрения. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | широкозонные полупроводники | en_US |
| dc.subject | двумерные материалы | en_US |
| dc.subject | карбид кремния | en_US |
| dc.subject | нитрид галлия | en_US |
| dc.subject | графены | en_US |
| dc.title | Перспективные полупроводниковые материалы для микроэлектроники | en_US |
| dc.title.alternative | Promising semiconductor materials for microelectronics | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | As silicon technology reaches its physical scaling limits due to quantum leakage and heat dissipation, new semiconductors are needed. This report examines three classes: wide-bandgap materials (SiC, GaN) for power electronics; III–V compounds (GaAs, InP) for optoelectronics and microwave devices; 2D materials (graphene, MoS₂) with unique but hard-to-implement properties. Material specialization and synthesis advances are crucial. | en_US |
| Appears in Collections: | Электронные системы и технологии : материалы 62-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2026)
|
