| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Коваленко, И. А. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-07-17T07:14:46Z | - |
| dc.date.available | 2026-07-17T07:14:46Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Коваленко, И. А. Анализ особенностей применения сверхвысокочастотной плазмы для удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин = Analysis of the features of using microwave plasma to remove photoresist from semiconductor wafers / И. А. Коваленко // Электронные системы и технологии : сборник материалов 62-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 13–17 апреля 2026 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: П. В. Камлач [и др.]. – Минск, 2026. – С. 357–359. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/64714 | - |
| dc.description.abstract | Проведен анализ особенностей применения сверхвысокочастотной (СВЧ) плазмы для удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин в сравнении с традиционной высокочастотной (ВЧ) плазмой. Показано, что использование СВЧ-плазмы в downstream-режиме может обеспечивать степень диссоциации кислорода до 90%, что позволяет достичь скорости удаления фоторезиста 10–15 мкм/мин. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | полупроводниковые пластины | en_US |
| dc.subject | плазменные процессы | en_US |
| dc.subject | сверхвысокочастотные плазмы | en_US |
| dc.subject | фотолитография | en_US |
| dc.subject | вакуумные технологии | en_US |
| dc.title | Анализ особенностей применения сверхвысокочастотной плазмы для удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин | en_US |
| dc.title.alternative | Analysis of the features of using microwave plasma to remove photoresist from semiconductor wafers | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | An analysis of the specific features of using microwave plasma to remove photoresist from semiconductor wafers was conducted, compared to traditional radio-frequency (RF) plasma. It was shown that using microwave plasma in downstream mode can achieve oxygen dissociation rates of up to 90%, enabling photoresist removal rates of 10–15 μm/min. | en_US |
| Appears in Collections: | Электронные системы и технологии : материалы 62-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2026)
|
