| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Троян, Е. Ф. | - |
| dc.contributor.author | Смирнов, А. Г. | - |
| dc.contributor.author | Степанов, А. А. | - |
| dc.contributor.author | Харьков, С. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Королева, Е. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Филимонов, А. В. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-09-04T11:35:16Z | - |
| dc.date.available | 2026-09-04T11:35:16Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Многослойные элементы памяти Al-Al2Te3-SnTe-TeO2-SnTe-Me = Multilayer Memory Elements Al-Al2Te3-SnTe-TeO2-SnTe-Me / Е. Ф. Троян [и др.] // Доклады БГУИР. – 2026. – Т. 24, № 4. – С. 47–53. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/65651 | - |
| dc.description.abstract | В статье представлено исследование физических процессов на границе раздела в тонкопленочных структурах на основе двух- и трехкомпонентных халькогенидов, определяющих механизмы фазовых переходов и памяти. Предложена альтернативная концепция резистивного порогового переключения на границах раздела двух- и трехкомпонентных халькогенидных полупроводниковых материалов с формированием метастабильных дихалькогенидных соединений. Рассмотрены методы структурной стабилизации таких соединений. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | доклады БГУИР | en_US |
| dc.subject | тонкие пленки | en_US |
| dc.subject | халькогенидные соединения | en_US |
| dc.subject | эффекты переключения и памяти | en_US |
| dc.title | Многослойные элементы памяти Al-Al2Te3-SnTe-TeO2-SnTe-Me | en_US |
| dc.title.alternative | Multilayer Memory Elements Al-Al2Te3-SnTe-TeO2-SnTe-Me | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| dc.identifier.DOI | http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2026-24-4-47-53 | - |
| local.description.annotation | This article presents a study of the physical processes at the interface in thin-film structures based on two- and three-component chalcogenides, which determine the mechanisms of phase transitions and memory. An alternative concept for resistive threshold switching at the interfaces of two- and three-component chalcogenide semiconductor materials is proposed, resulting in the formation of metastable dichalcogenide compounds. Methods for the structural stabilization of such compounds are discussed. | en_US |
| Appears in Collections: | Том 24, № 4
|
