| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Коваленко, Д. А. | - |
| dc.contributor.author | Буневич, М. А. | - |
| dc.contributor.author | Врублевский, И. А. | - |
| dc.coverage.spatial | Гомель | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-09-15T11:11:22Z | - |
| dc.date.available | 2026-09-15T11:11:22Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Коваленко, Д. А. Исследование механизма проводимости анодных пленок ТіО2 при низких температурах = Investigation of conductivity mechanisms in anodic ТіО2 films at low temperatures / Д. А. Коваленко, М. А. Буневич, И. А. Врублевский // ERA – Современная наука: электроника, робототехника, автоматизация : материалы II Международной научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, Гомель, 30–31 октября 2025 г. / Гомельский государственный технический университет имени П. О. Сухого ; редкол.: А. А. Бойко [и др.]. – Гомель : ГГТУ им. П. О. Сухого, 2026. – С. 226–228. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/65751 | - |
| dc.description.abstract | Изучены электрические свойства тонких пленок ТіО, полученных методом электрохимического окисления. Проведено исследование вольт-амперных характеристик пленок в диапазоне температур 263–300 К. Выявлен механизм токов ограниченного пространственного заряда для проводимости тонких пленок. Определена асимметрия ВАХ при прямом и обратном включениях. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | Гомельский государственный технический университет имени П. О. Сухого | en_US |
| dc.subject | публикации ученых | en_US |
| dc.subject | диоксид титана | en_US |
| dc.subject | электрохимическое окисление | en_US |
| dc.subject | электронная проводимость | en_US |
| dc.subject | вольт-амперные характеристики | en_US |
| dc.subject | полупроводниковые свойства | en_US |
| dc.title | Исследование механизма проводимости анодных пленок ТіО2 при низких температурах | en_US |
| dc.title.alternative | Investigation of conductivity mechanisms in anodic ТіО2 films at low temperatures | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | The electrical properties of TiO thin films obtained by electrochemical oxidation method have been studied. An investigation of current-voltage characteristics of the films was conducted in the temperature range of 263–300 K. A space charge limited current mechanism for the conductivity of thin films was identified. Asymmetry of I-V characteristics under forward and reverse bias conditions was determined. | en_US |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
