| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Лушакова, М. С. | - |
| dc.contributor.author | Тихон, О. И. | - |
| dc.contributor.author | Мадвейко, С. И. | - |
| dc.coverage.spatial | Гомель | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-09-16T06:36:06Z | - |
| dc.date.available | 2026-09-16T06:36:06Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Лушакова, М. С. Влияние высоты рабочего объема плазменной камеры на процесс травления кремния = Influence of the plasma chamber height on the silicon etching process / М. С. Лушакова, О. И. Тихон, С. И. Мадвейко // ERA – Современная наука: электроника, робототехника, автоматизация : материалы II Международной научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, Гомель, 30–31 октября 2025 г. / Гомельский государственный технический университет имени П. О. Сухого ; редкол.: А. А. Бойко [и др.]. – Гомель : ГГТУ им. П. О. Сухого, 2026. – С. 239–241. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/65760 | - |
| dc.description.abstract | Установлена зависимость изменения скорости травления кремниевой пластины от высоты разрядной камеры в плазме комбинированного разряда. Выбрана оптимальная высота камеры исходя из скорости травления и рельефа получаемой поверхности. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | Гомельский государственный технический университет имени П. О. Сухого | en_US |
| dc.subject | публикации ученых | en_US |
| dc.subject | плазменные камеры | en_US |
| dc.subject | комбинированные разряды | en_US |
| dc.subject | травление | en_US |
| dc.subject | кремний | en_US |
| dc.subject | микроэлектроника | en_US |
| dc.subject | селективность | en_US |
| dc.subject | плазмохимия | en_US |
| dc.title | Влияние высоты рабочего объема плазменной камеры на процесс травления кремния | en_US |
| dc.title.alternative | Influence of the plasma chamber height on the silicon etching process | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | The dependence of the silicon wafer etching rate on the discharge chamber height in the combined discharge plasma has been established. The optimal height of the chamber was determined based on the etching rate and the relief of the resulting surface. | en_US |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
