| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Коваленко, Д. А. | - |
| dc.contributor.author | Буневич, М. А. | - |
| dc.contributor.author | Горбачев, Д. В. | - |
| dc.contributor.author | Врублевский, И. А. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-10-23T06:36:45Z | - |
| dc.date.available | 2026-10-23T06:36:45Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | - |
| dc.identifier.citation | Вольт-амперные характеристики наноразмерных пленок оксида титана, полученных анодным окислением / Д. А. Коваленко, М. А. Буневич, Д. В. Горбачев, И. А. Врублевский // Новые горизонты – 2025 : сборник материалов XII Белорусско-китайского молодежного инновационного форума, Минск, 27–28 ноября 2025 года : в 2 т. Т. 2 / Белорусский национальный технический университет. – Минск : БНТУ, 2025. – С. 50–51. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/65966 | - |
| dc.description.abstract | Тонкие пленки диоксида титана (TiO₂) являются перспективным материалом для прозрачных проводящих покрытий и транспортных слоев в солнечных элементах благодаря оптимальному сочетанию оптической прозрачности, электронной проводимости и химической стабильности. Особый интерес представляют пленки, полученные методом анодного оксидирования, позволяющим контролируемо формировать наноразмерные слои с минимальной дефектностью. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | Белорусский национальный технический университет | en_US |
| dc.subject | публикации ученых | en_US |
| dc.subject | наноразмерные пленки | en_US |
| dc.subject | анодное окисление | en_US |
| dc.subject | диоксид титана | en_US |
| dc.title | Вольт-амперные характеристики наноразмерных пленок оксида титана, полученных анодным окислением | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | This work studies the electrical properties of nanoscale TiO₂ films obtained by anodic oxidation. Current-voltage characteristics measured in the temperature range 263–300 K show a dominant charge injection mechanism at the metal-oxide interface. The analysis confirms that the conductivity is determined by defect states rather than the intrinsic properties of the dielectric. | en_US |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
