Динамика фотовозбужденных носителей заряда в i-слое гетероструктурного p-i-n-диода AlGaAs/GaAs

Abstract

Методом динамической терагерцовой эмиссионной спектроскопии с субпико-секундным разрешением исследована динамика фотовозбуждённых носителей в i-слое p-i-n диода. В зависимости от интенсивности фотовозбуждения и напряженности электрического поля, экранирование электрического поля в i-области может происходить как в баллистическом, так и в диффузионно-дрейфовом режимах. Медленная стадия экранирования электрического поля обусловлена процессами переноса фотовозбужденных электронов через обедненный i-слой и ухода их в n-область. Динамику восстановления электрического поля в обедненной области p-i-n диода определяют дрейф дырок после ухода электронов из i-слоя, перезарядка емкости p-i-n диода через внешнюю цепь, а также рекомбинация носителей заряда на глубоких примесных центрах в GaAs.