Аналитическая модель терагерцевой генерации в AlGaAs/GaAs в p−i−n-диоде

Abstract

Представлена аналитическая модель, описывающая динамику фотоэлектронов, возбуждаемых фемтосекундными оптическими импульсами в p−i−n-диоде AlGaAs/GaAs. При изменении величины обратного смещения происходит изменение механизма терагерцевой генерации. Волновая форма фототока (амплитуда, длительность, положение максимума) существенно зависит как от обратного смещения, так и от уровня оптического возбуждения, а также от энергии кванта лазерного излучения. При достаточно больших значениях напряженности внутреннего электрического поля терагерце-вая генерация в гетероструктурном p−i−n-диоде обусловлена ускорением электронов в течение нескольких сотен фемтосекунд до скорости, значительно превышающей скорость насыщения (”velocity overshoot“), и последующим ее резким спадом, связанным с переходом электронов из центральной долины в боковые.