| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Иванович, В. Д. | - |
| dc.contributor.author | Трухин, В. Н. | - |
| dc.contributor.author | Малевич, В. Л. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-10-27T07:09:45Z | - |
| dc.date.available | 2026-10-27T07:09:45Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | - |
| dc.identifier.citation | Иванович, В. Д. Генерация терагерцовых электромагнитных импульсов в p-i-n диоде, возбуждаемом фемтосекундным лазерным излучением = Generation of terahertz electromagnetic pulses in a p-i-n diode excited by femtosecond laser radiation / В. Д. Иванович, В. Н. Трухин, В. Л. Малевич // Квантовая электроника : материалы XV Международной научно-технической конференции, Минск, 18–20 ноября 2025 г. / Белорусский государственный университет [и др.] ; редкол.: А. А. Афоненко (гл. ред.) [и др.]. – Минск, 2025. – С. 244–248. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/65972 | - |
| dc.description.abstract | На основе феноменологических уравнений рассчитаны временные зависимости фототока и терагерцового (ТГц) электрического поля в GaAs p-i-n диоде, облучаемом фемтосекундным лазерным излучением. Проанализировано влияние эффектов всплеска баллистической скорости фотовозбужденных электронов и экранирования электрического поля i-слоя на динамику формирования импульса фототока. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУ | en_US |
| dc.subject | публикации ученых | en_US |
| dc.subject | p-i-n диоды | en_US |
| dc.subject | импульсы фототока | en_US |
| dc.subject | терагерцовые электромагнитные импульсы | en_US |
| dc.subject | эффекты экранирования | en_US |
| dc.subject | генерация ТГц-излучения | en_US |
| dc.subject | фотовозбуждение | en_US |
| dc.subject | ультракороткие оптические импульсы | en_US |
| dc.title | Генерация терагерцовых электромагнитных импульсов в p-i-n диоде, возбуждаемом фемтосекундным лазерным излучением | en_US |
| dc.title.alternative | Generation of terahertz electromagnetic pulses in a p-i-n diode excited by femtosecond laser radiation | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | Based on phenomenological equations, the time dependences of the photocurrent and the terahertz (THz) electric field in a GaAs p-i-n diode irradiated with femtosecond laser radiation were calculated. The influence of the electron velocity overshoot effect and screening of the electric field by photocarriers on the dynamics of the photocurrent pulse in the i-layer was analyzed. | en_US |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
