| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Клюцкий, А. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Лазарук, С. К. | - |
| dc.contributor.author | Долбик, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Стома, С. С. | - |
| dc.contributor.author | Дудич, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Лабунов, В. А. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-11-04T06:27:43Z | - |
| dc.date.available | 2026-11-04T06:27:43Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Влияние ионизирующего β-излучения на характеристики лавинных светодиодов на основе наноструктурированного кремния = Effect of ionizing β-radiation on the characteristics of avalanche light-emitting diodes based on nanostructured silicon / А. Ю. Клюцкий, С. К. Лазарук, А. В. Долбик, С. С. Стома, В. В. Дудич [и др.] // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : сборник научных трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 23 октября 2026 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2026. – С. 185–187. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/66060 | - |
| dc.description.abstract | проведено исследование влияния ионизирующего β-излучения на характеристики
лавинных светодиодов на основе наноструктурированного кремния. Дозы облучения составляли от 100
до 1000 Гр. В качестве источника ионизирующего β - излучения использовался итрий-стронцевый сплав
с активностью излучения 300 кБк с временной продолжительностью от 1 дня до 30 дней. По мере
увеличения дозы облучения наблюдалось увеличение порогового напряжения светоизлучения от 5 до
9 В, что объясняется увеличением плотности индуцированного отрицательного электрического заряда
в изоляционных слоях. Изменение интенсивности светоизлучения в зависимости от тока светодиода
не наблюдалось, что свидетельствует о стойкости функционирования светодиодов под действием β -
излучения при дозах до 1000 Гр. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | β – излучения | en_US |
| dc.subject | лавинные светодиоды | en_US |
| dc.subject | вольт-амперные характеристики | en_US |
| dc.title | Влияние ионизирующего β-излучения на характеристики лавинных светодиодов на основе наноструктурированного кремния | en_US |
| dc.title.alternative | Effect of ionizing β-radiation on the characteristics of avalanche light-emitting diodes based on nanostructured silicon | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | a study was conducted on the effect of ionizing beta radiation on the characteristics of avalanche
light-emitting diodes (LEDs) based on nanostructured silicon. Irradiation doses ranged from 100 to 1000 Gy.
An yttrium-strontium alloy with an activity of 300 kBq served as the ionizing beta radiation source, with
exposure times ranging from 1 to 30 days. As the irradiation dose increased, the threshold voltage rose from
5 to 9 V. This is attributed to an increase in the density of induced negative electric charge within the insulating
layers. No changes in light emission intensity relative to the LED current were observed, demonstrating the
operational stability of the LEDs under beta radiation at doses up to 1000 Gy. | en_US |
| Appears in Collections: | Компьютерное проектирование в электронике (2026)
|
