| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Chertoritskii, I. G. | - |
| dc.contributor.author | Bukhtoyarov, S. E. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-11-04T06:57:01Z | - |
| dc.date.available | 2026-11-04T06:57:01Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Chertoritskii, I. G. Design of 2.4–2.5 GHz Low-Noise amplifier with digital gain control in 28 nm FD-SOI technology = Схемотехническое проектирование малошумящего усилителя для диапазона 2,4 2,5 ГГц с цифровой регулировкой усиления по 28 нм КнИ технологии / I. G. Chertoritskii, S. E. Bukhtoyarov // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : сборник научных трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 23 октября 2026 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2026. – С. 91–95. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/66065 | - |
| dc.description.abstract | This paper presents a 2.4-2.5 GHz Low Noise Amplifier (LNA) with Digital Gain Control (DGC) implemented in 28-nm FD-SOI CMOS technology. The LNA achieves NF of 1.7 dB at maximum gain. At minimum gain it provides IIP3 of −0.02 dBm, and P1dB of −2.8 dBm. A 3-bit DGC varies the power gain from 7.5 dB to 17 dB, while LNA consumes 15.3 mW at 1.8 V supply across all gain settings. At maximum gain S11/S22/S12 are −20.3/−27.9/−26.5 dB at 2.45 GHz. The design achieves high gain, low NF, high linearity and a 9.5 dB gain tuning range. | en_US |
| dc.language.iso | en | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | low-noise amplifiers | en_US |
| dc.subject | digital gain control | en_US |
| dc.subject | CMOS | en_US |
| dc.subject | FD-SOI | en_US |
| dc.subject | ISM | en_US |
| dc.subject | WLAN | en_US |
| dc.title | Design of 2.4–2.5 GHz Low-Noise amplifier with digital gain control in 28 nm FD-SOI technology | en_US |
| dc.title.alternative | Схемотехническое проектирование малошумящего усилителя для диапазона 2,4 2,5 ГГц с цифровой регулировкой усиления по 28 нм КнИ технологии | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | Представлено схемотехническое решение малошумящего усилителя (МШУ), работающего в диапазоне 2,4–2,5 ГГц, с цифровой регулировкой усиления, разработанное по 28 нм КнИ технологии. Уровень шума (NF) достигает 1,7 дБ в режиме максимального усиления. 3-битная схема цифровой регулировки усиления обеспечивает изменение коэффициента усиления в диапазоне от 7,5 дБ до 17 дБ при потреблении МШУ 15,3 мВт при напряжении питания 1,8 В для всех режимов усиления. При минимальном усилении параметры линейности IIP3 и P1dB достигают значений −0,02 дБм и −2,8 дБм соответственно. S-параметры S11/S22/S12 принимают значения −20.3/−27.9/−26.5 дБ на частоте 2,45 ГГц при максимальном усилении. Спроектированное решение обеспечивает высокий коэффициент усиления, низкий уровень шума, высокую линейность и диапазон регулировки усиления 9,5 дБ. | en_US |
| Appears in Collections: | Компьютерное проектирование в электронике (2026)
|
