| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Нгуен Чонг Тхань | - |
| dc.contributor.author | Ветошкин, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Якуш, В. С. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-11-05T06:11:53Z | - |
| dc.date.available | 2026-11-05T06:11:53Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Нгуен Чонг Тхань. 4H-SiC траншейный биполярный транзистор с изолированным затвором с низким падением напряжения = 4H-SiC trench insulated gate bipolar transistor with low on-state voltage drop / Нгуен Чонг Тхань, В. В. Ветошкин, В. С. Якуш // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : сборник научных трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 23 октября 2026 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2026. – С. 198–200. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/66077 | - |
| dc.description.abstract | в работе представлено исследование конструкции 4H-SiC траншейного БТИЗ с P
экранирующим слоем. В состоянии запирания P-экран фиксируется при низком потенциале за счет
проводимости PMOS-транзистора, обеспечивая эффективное экранирование окисла траншейного
затвора от сильного электрического поля. В открытом состоянии P-экран изолирован от эмиттерного
электрода слоем N-кармана, что способствует усилению эффекта инжекции носителей. При высоких
напряжениях коллектор-эмиттер P-экран напрямую соединяется с эмиттером через эффект прокола
(punch-through) PNP-транзистора с открытой базой, что позволяет снизить ток насыщения. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | траншейные затворы | en_US |
| dc.subject | P-экраны | en_US |
| dc.title | 4H-SiC траншейный биполярный транзистор с изолированным затвором с низким падением напряжения | en_US |
| dc.title.alternative | 4H-SiC trench insulated gate bipolar transistor with low on-state voltage drop | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | this paper presents an investigation of a 4H-SiC trench IGBT structure with a P-shielding layer. In
the off-state, the P-shield is fixed at a low potential due to the conductivity of a PMOS transistor, providing
effective shielding of the trench gate oxide from the strong electric field. In the on-state, the P-shield is isolated
from the emitter electrode by an N-well layer, which enhances the carrier injection effect. At high collector
emitter voltages, the P-shield is directly connected to the emitter through the punch-through effect of an open
base PNP transistor, which allows for a reduction in the saturation current. | en_US |
| Appears in Collections: | Компьютерное проектирование в электронике (2026)
|
