Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/66079
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorНгуен Чонг Тхань-
dc.contributor.authorСтемпицкий, В. Р.-
dc.coverage.spatialМинскen_US
dc.date.accessioned2026-11-05T06:33:44Z-
dc.date.available2026-11-05T06:33:44Z-
dc.date.issued2026-
dc.identifier.citationНгуен Чонг Тхань. Компактная (электрическая) модель биполярного транзистора с изолированным затвором = Compact (electrical) model of an insulated-gate bipolar transistor / Нгуен Чонг Тхань, В. Р. Стемпицкий // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : сборник научных трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 23 октября 2026 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2026. – С. 195–197.en_US
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/66079-
dc.description.abstractВ работе представлена разработка и верификация компактной (электрической) модели биполярного транзистора с изолированным затвором (БТИЗ). В основе модели лежит физически обоснованный подход, сочетающий эквивалентную схему прибора с системой уравнений, описывающих ключевые процессы: перенос носителей заряда в биполярной структуре, модуляцию проводимости базы, а также эффекты ударной ионизации. Модель была реализована на языке описания аппаратуры Verilog-A в среде Cadence. Проведено моделирование переходных процессов выключения при различных сопротивлениях затвора и снято семейство выходных статических характеристик, что подтвердило адекватность модели и ее пригодность для анализа работы прибора в реальных схемах с индуктивной нагрузкой. Преимуществом представленной компактной модели является высокая вычислительная эффективность при сохранении точности.en_US
dc.language.isoruen_US
dc.publisherБГУИРen_US
dc.subjectматериалы конференцийen_US
dc.subjectбиполярные транзисторыen_US
dc.subjectкомпактные моделиen_US
dc.subjectсхемотехническое моделированиеen_US
dc.titleКомпактная (электрическая) модель биполярного транзистора с изолированным затворомen_US
dc.title.alternativeCompact (electrical) model of an insulated-gate bipolar transistoren_US
dc.typeArticleen_US
local.description.annotationТhis paper presents the development and verification of a compact (electrical) model of an insulated gate bipolar transistor (IGBT). The model is based on a physically based approach combining the device's equivalent circuit with a system of equations describing key processes: charge carrier transport in the bipolar structure, base conductivity modulation, and impact ionization effects. The model was implemented in the Verilog A hardware description language in the Cadence environment. Simulation of turn-off transients with various gate resistances was performed, and a family of output static characteristics was recorded, confirming the model's adequacy and suitability for analyzing device operation in real circuits with inductive loads. The advantage of the presented compact model is its high computational efficiency while maintaining accuracy.en_US
Appears in Collections:Компьютерное проектирование в электронике (2026)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Nguen_Kompaktnaya.pdf295.59 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.