| DC Field | Value | Language |
| dc.contributor.author | Нгуен Чонг Тхань | - |
| dc.contributor.author | Стемпицкий, В. Р. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-11-05T06:33:44Z | - |
| dc.date.available | 2026-11-05T06:33:44Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Нгуен Чонг Тхань. Компактная (электрическая) модель биполярного транзистора с изолированным затвором = Compact (electrical) model of an insulated-gate bipolar transistor / Нгуен Чонг Тхань, В. Р. Стемпицкий // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : сборник научных трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 23 октября 2026 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2026. – С. 195–197. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/66079 | - |
| dc.description.abstract | В работе представлена разработка и верификация компактной (электрической) модели
биполярного транзистора с изолированным затвором (БТИЗ). В основе модели лежит физически
обоснованный подход, сочетающий эквивалентную схему прибора с системой уравнений,
описывающих ключевые процессы: перенос носителей заряда в биполярной структуре, модуляцию
проводимости базы, а также эффекты ударной ионизации. Модель была реализована на языке
описания аппаратуры Verilog-A в среде Cadence. Проведено моделирование переходных процессов
выключения при различных сопротивлениях затвора и снято семейство выходных статических
характеристик, что подтвердило адекватность модели и ее пригодность для анализа работы прибора
в реальных схемах с индуктивной нагрузкой. Преимуществом представленной компактной модели
является высокая вычислительная эффективность при сохранении точности. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | биполярные транзисторы | en_US |
| dc.subject | компактные модели | en_US |
| dc.subject | схемотехническое моделирование | en_US |
| dc.title | Компактная (электрическая) модель биполярного транзистора с изолированным затвором | en_US |
| dc.title.alternative | Compact (electrical) model of an insulated-gate bipolar transistor | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | Тhis paper presents the development and verification of a compact (electrical) model of an insulated
gate bipolar transistor (IGBT). The model is based on a physically based approach combining the device's
equivalent circuit with a system of equations describing key processes: charge carrier transport in the bipolar
structure, base conductivity modulation, and impact ionization effects. The model was implemented in the Verilog
A hardware description language in the Cadence environment. Simulation of turn-off transients with various gate
resistances was performed, and a family of output static characteristics was recorded, confirming the model's
adequacy and suitability for analyzing device operation in real circuits with inductive loads. The advantage of the
presented compact model is its high computational efficiency while maintaining accuracy. | en_US |
| Appears in Collections: | Компьютерное проектирование в электронике (2026)
|