| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Курленко, А. Д. | - |
| dc.contributor.author | Громыко, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Ловшенко, И. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Биран, С. А. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-11-06T06:09:23Z | - |
| dc.date.available | 2026-11-06T06:09:23Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Сравнительный анализ аналитических и статистических моделей ионной имплантации, реализованных в системах автоматизированного проектирования микроэлектроники = Comparative analysis of analytical and statistical ion implantation models implemented in computer-aided design systems / А. Д. Курленко, В. А. Громыко, И. Ю. Ловшенко, С. А. Биран // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : сборник научных трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 23 октября 2026 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2026. – С. 89–90. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/66099 | - |
| dc.description.abstract | Проведено сравнение аналитического метода и метода Монте-Карло при моделировании ионной имплантации в монокристаллический кремний в диапазоне энергий 20–200 кэВ при угле наклона пучка 7 °. Установлено, что аналитический метод обеспечивает физически корректные зависимости глубины залегания p-n перехода и удельного поверхностного сопротивления от энергии. Метод Монте Карло при 105 ионов воспроизводит аналитический результат с малым отклонением, при 103 ионов результаты содержат значительный статистический разброс и не пригодны для точных расчетов. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | ионная имплантация | en_US |
| dc.subject | метод Монте-Карло | en_US |
| dc.subject | аналитические модели | en_US |
| dc.subject | САПР микроэлектроники | en_US |
| dc.title | Сравнительный анализ аналитических и статистических моделей ионной имплантации, реализованных в системах автоматизированного проектирования микроэлектроники | en_US |
| dc.title.alternative | Comparative analysis of analytical and statistical ion implantation models implemented in computer-aided design systems | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | A comparative study of analytical and Monte Carlo methods for modeling ion implantation into single crystal silicon was conducted in the energy range of 20–200 keV at a beam tilt angle of 7 °. It is established that the analytical method provides physically correct dependencies of the p-n junction depth and sheet resistance on energy. The Monte Carlo method using 105 ions reproduces the analytical results with minor deviations, whereas at 103 ions, the results exhibit significant statistical scatter and are unsuitable for precise calculations. | en_US |
| Appears in Collections: | Компьютерное проектирование в электронике (2026)
|
