| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Устюжанина, С. В. | - |
| dc.contributor.author | Кистанов, А. А. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-11-10T07:54:22Z | - |
| dc.date.available | 2026-11-10T07:54:22Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Устюжанина, С. В. Первопринципное исследование ZnVN2: от объемного материала до монослоя = First-principles study of ZnVN2: from bulk to monolayer / С. В. Устюжанина, А. А. Кистанов // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : сборник научных трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 23 октября 2026 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2026. – С. 19–22. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/66147 | - |
| dc.description.abstract | С помощью первопринципных расчетов исследовано семейство материалов на основе
ZnVN2. Стабильность исследованных материалов оценена на основе результатов вычислений
фононных спектров и ab initio молекулярно-динамического моделирования. Проведена оценка
оптоэлектронных и транспортных свойств исследованного семейства материалов ZnVN2. Показано, что
объемный и монослойный ZnVN2 являются полупроводниками с непрямой запрещенной зоной.
Объемный ZnVN2 демонстрирует коэффициент поглощения ~1,2×10⁶ см⁻¹ в среднеультрафиолетовом
диапазоне, а монослой ZnVN2 имеет самый высокий коэффициент поглощения 13,02% в
среднеультрафиолетовом диапазоне. Кроме того, установлено, что тип подложки значительно влияет
на структурную стабильность монослоя ZnVN2 и его электронные свойства за счет формирования
структурных дефектов на границе раздела. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | двумерные материалы | en_US |
| dc.subject | тройные нитриды | en_US |
| dc.subject | электронные свойства | en_US |
| dc.title | Первопринципное исследование ZnVN2: от объемного материала до монослоя | en_US |
| dc.title.alternative | First-principles study of ZnVN2: from bulk to monolayer | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | А family of ZnVN2-based materials was studied using first-principles calculations. The stability of the
studied materials was assessed based on the results of phonon spectral calculations and ab initio molecular
dynamics modeling. The optoelectronic and transport properties of the studied ZnVN2 family of materials were
evaluated. It was shown that bulk and monolayer ZnVN2 are indirect bandgap semiconductors. Bulk ZnVN2
exhibits an absorption coefficient of ~1.2×10⁶ cm⁻¹ in the mid-ultraviolet range, while the ZnVN2 monolayer has
the highest absorption coefficient of 13.02% in the mid-ultraviolet range. Furthermore, it was found that the
substrate type significantly affects the structural stability of the ZnVN2 monolayer and its electronic properties
due to the formation of structural defects at the interface. | en_US |
| Appears in Collections: | Компьютерное проектирование в электронике (2026)
|
