| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Иванюта, С. М. | - |
| dc.contributor.author | Артюшкевич, Г. Д. | - |
| dc.contributor.author | Дудич, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Ионов, М. И. | - |
| dc.contributor.author | Духовников, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Лешок, А. А. | - |
| dc.contributor.author | Лазарук, С. К. | - |
| dc.contributor.author | Лабунов, В. А. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-11-12T07:06:00Z | - |
| dc.date.available | 2026-11-12T07:06:00Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Эффекты мемристорного резистивного переключения в структурах на основе анодных оксидов титана и ниобия = Effects of memristor resistive switching in structures based on anode oxides of titanium and niobium / С. М. Иванюта, Г. Д. Артюшкевич, В. В. Дудич [и др.] // Современные методы и технологии создания и обработки материалов : сборник научных трудов : в 2 кн. Кн. 1 / Государственное научное учреждение «Физико-технический институт Национальной академии наук Беларуси» ; редкол.: В. Г. Залесский [и др.]. – Минск : ФТИ НАН Беларуси, 2026. – С. 102–108. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/66171 | - |
| dc.description.abstract | Сформированы МДМ-структуры на основе оксидов титана и ниобия, полученных методом электрохимического анодирования, и исследован эффект резистивного переключения в них. Установлены закономерности влияния морфологии полученных оксидных слоёв и материала верхнего электрода на электрофизические характеристики мемристорных
ячеек. Экспериментально подтверждено, что комбинация электродов с высокой работой выхода (никель) и структуры оксида обеспечивает коэффициент переключения до 50 и снижает напряжение переключения до 2 В. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | ФТИ НАН Беларуси | en_US |
| dc.subject | публикации ученых | en_US |
| dc.subject | мемристоры | en_US |
| dc.subject | электрохимическое анодирование | en_US |
| dc.subject | резистивное переключение | en_US |
| dc.subject | кислородные вакансии | en_US |
| dc.title | Эффекты мемристорного резистивного переключения в структурах на основе анодных оксидов титана и ниобия | en_US |
| dc.title.alternative | Effects of memristor resistive switching in structures based on anode oxides of titanium and niobium | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | MDM structures based on titanium and niobium oxides obtained by electrochemical anodization were formed, and their resistive switching effect was studied. The influence of the morphology of the resulting oxide layers and the top electrode material on the electrical characteristics of the memristor cells was established. It was experimentally confirmed that the combination of high
work function electrodes (nickel) and the oxide structure provides a switching coefficient of up to 50 and reduces the switching voltage to 2 V. | en_US |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
