| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Новокшенов, А. Д. | - |
| dc.contributor.author | Карчевская, А. С. | - |
| dc.contributor.author | Матвеева, А. И. | - |
| dc.contributor.author | Боровков, А. И. | - |
| dc.contributor.author | Щербаков, С. С. | - |
| dc.contributor.author | Подгайская, Д. А. | - |
| dc.contributor.author | Мендель, А. В. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-11-13T06:25:09Z | - |
| dc.date.available | 2026-11-13T06:25:09Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Топологическая оптимизация теплоотводящего корпуса при импульсных термомеханических нагрузках = Topology optimization of a heat dissipating microwave package under pulsed thermomechanical loads / А. Д. Новокшенов, А. С. Карчевская, А. И. Матвеева [и др.] // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : сборник научных трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 23 октября 2026 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2026. – С. 47–50. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/66186 | - |
| dc.description.abstract | Исследован фланцевый корпус GaN-on-SiC-транзистора при импульсном нагреве 1 мс с
периодом 10 мс. Нестационарная топологическая оптимизация объединяет конечно-элементный
термомеханический расчет, сопряженные производные и ограничения на перегрев и напряжения. При
лимитах 60 К и 60 МПа масса оптимизируемой области снизилась с 0,198 до 0,020 г/мм. Стационарный
проект при проверке в импульсном режиме превысил ограничения на 26 % по перегреву и 11 % по
напряжениям. Результат показывает необходимость учитывать временную структуру нагрева. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | СВЧ-корпуса | en_US |
| dc.subject | термоупругость | en_US |
| dc.subject | импульсные нагревы | en_US |
| dc.title | Топологическая оптимизация теплоотводящего корпуса при импульсных термомеханических нагрузках | en_US |
| dc.title.alternative | Topology optimization of a heat dissipating microwave package under pulsed thermomechanical loads | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | А flanged GaN-on-SiC transistor package is optimized under 1 ms heat pulses with a 10 ms period.
Transient finite element analysis, discrete adjoint sensitivities, and stress and die-overheat constraints are
combined with topology optimization. At limits of 60 MPa and 60 K, the optimization-domain mass decreased
from 0.198 to 0.020 g/mm. A design optimized for average steady power exceeded the pulsed limits by 26%
in overheat and 11% in stress. The results show that pulse timing must be represented explicitly in package
design. | en_US |
| Appears in Collections: | Компьютерное проектирование в электронике (2026)
|
