Пассивация полевых транзисторов с барьером Шоттки на арсениде галлия с применением ионно-лучевого распыления диэлектрических мишеней.

Abstract

Проведено исследование процессов пассивации полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs с применением ионно-лучевого распыления мишеней из кварца, оксида алюминия и нитрида алюминия. Установлено влияние режимов распыления на ток заряженных частиц в области подложки. Изучено влияние режимов нанесения на адгезию пассивирующего слоя к GaAs. Установлено, что с ростом тока разряда происходит увеличение адгезии диэлектрического слоя. Диэлектрические слои, сформированные ИЛР, обладают адгезией, которая в 2–4 раза выше, чем у слоев, полученных низкотемпературным окислением и электронно-лучевым испарением. Проведено исследование границы раздела AlN/GaAs. Показано что, свойства границы раздела во многом определяются параметрами процесса формирования диэлектрика. Показано, что ионно-лучевое распыление диэлектрических мишеней является перспективным для формирования пассивирующих слоев для активных структур на GaAs.