Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/6856
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorБондаренко, А. В.-
dc.contributor.authorГирель, К. В.-
dc.contributor.authorНевзоров, С. А.-
dc.contributor.authorГончар, К. А.-
dc.contributor.authorТимошенко, В. Ю.-
dc.date.accessioned2016-05-18T08:34:30Z-
dc.date.accessioned2017-07-13T06:32:33Z-
dc.date.available2016-05-18T08:34:30Z-
dc.date.available2017-07-13T06:32:33Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationФормирование кремниевых нанонитей методом металл-стимулированного химического травления и исследование их оптических свойств / А. В. Бондаренко [и др.] // Доклады БГУИР. - 2016. - № 2 (96). - С. 5 - 10.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/6856-
dc.description.abstractПредставлены результаты исследования особенностей формирования и оптических свойств кремниевых нанонитей (КН), формируемых методом металл-стимулированного химического травления (МСХТ) монокристаллического кремния дырочного и электронного типа проводимости. Установлено, что с увеличением времени химического травления длина КН линейно возрастает. Исследованы спектры полного и зеркального инфракрасного (ИК) отражения, спектры комбинационного рассеяния (КР) света сформированных КН, а также спектры фотолюминесценции (ФЛ). Выявлено, что полоса кремния в спектре КР с увеличением времени химического травления расширяется и сдвигается в коротковолновую область.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectкремниевые нанонитиru_RU
dc.subjectметалл-стимулированное химическое травлениеru_RU
dc.subjectиммерсионное осаждениеru_RU
dc.subjectкомбинационное рассеяниеru_RU
dc.subjectфотолюминесценцияru_RU
dc.subjectsilicon nanowiresru_RU
dc.subjectmetal-assisted chemical etchingru_RU
dc.subjectimmersion depositionru_RU
dc.subjectRaman scatteringru_RU
dc.subjectphotoluminescenceru_RU
dc.titleФормирование кремниевых нанонитей методом металл-стимулированного химического травления и исследование их оптических свойствru_RU
dc.title.alternativeFormation of silicon nanowires by metal-assisted chemical etching and study of its optical propertiesru_RU
dc.typeArticleru_RU
local.description.annotationThe results of study and development of silicon nanowires (SiNWs) formation by metal- assisted chemical etching (MACE) are introduced. Linear dependence of SiNWs length from etching time is established. Total and mirror reflectance spectra, Raman scattering spectra of SiNWs and photoluminescence (PL) spectra are studied. Si band broadening and shifting to short-wave region in Raman spectra with increasing of etching time are revealed.-
Располагается в коллекциях:№2 (96)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Bondarenko_Formirovaniye.PDF1.02 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики Google Scholar

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.