Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item:
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБогатырев, Ю. В.-
dc.contributor.authorЛастовский, С. Б.-
dc.contributor.authorСорока, С. А.-
dc.contributor.authorШведов, С. В.-
dc.contributor.authorОгородников, Д. А.-
dc.identifier.citationБогатырев, Ю. В. Влияние гамма-излучения на МОП/КНИ- транзисторы / Ю. В. Богатырев [и др.] // Доклады БГУИР. - 2016. - № 3 (97). - С. 75 - 80.ru_RU
dc.description.abstractПриведены результаты исследований влияния гамма-излучения Со60 на характеристики тестовых МОП/КНИ-транзисторов с различными конструктивно-технологическими особенностями и электрическими режимами. The results of experimental researches of influence of gamma radiation Со60 on test MOS/SOI transistors with different constructive-technologic features and electrical modes are submitted.ru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectрадиационная стойкостьru_RU
dc.subjectMOS/SOI transistorru_RU
dc.subjectgamma radiationru_RU
dc.subjectradiation resistanceru_RU
dc.titleВлияние гамма-излучения на МОП/КНИ-транзисторыru_RU
dc.title.alternativeInfluence of gamma radiation on MOS/SOI transistorsru_RU
Appears in Collections:№3 (97)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Bogatyrev_Vliyanie.PDF699.55 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.