| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Богатырев, Ю. В. | - |
| dc.contributor.author | Ластовский, С. Б. | - |
| dc.contributor.author | Сорока, С. А. | - |
| dc.contributor.author | Шведов, С. В. | - |
| dc.contributor.author | Огородников, Д. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-05-20T06:15:14Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-13T06:33:10Z | - |
| dc.date.available | 2016-05-20T06:15:14Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-13T06:33:10Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Богатырев, Ю. В. Влияние гамма-излучения на МОП/КНИ- транзисторы / Ю. В. Богатырев [и др.] // Доклады БГУИР. - 2016. - № 3 (97). - С. 75 - 80. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/6887 | - |
| dc.description.abstract | Приведены результаты исследований влияния гамма-излучения Со60 на характеристики
тестовых МОП/КНИ-транзисторов с различными конструктивно-технологическими
особенностями и электрическими режимами. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | МОП/КНИ-транзистор | ru_RU |
| dc.subject | гамма-излучение | ru_RU |
| dc.subject | радиационная стойкость | ru_RU |
| dc.subject | MOS/SOI transistor | ru_RU |
| dc.subject | gamma radiation | ru_RU |
| dc.subject | radiation resistance | ru_RU |
| dc.title | Влияние гамма-излучения на МОП/КНИ-транзисторы | ru_RU |
| dc.title.alternative | Influence of gamma radiation on MOS/SOI transistors | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | The results of experimental researches of influence of gamma radiation Со60 on test MOS/SOI
transistors with different constructive-technologic features and electrical modes are submitted. | - |
| Appears in Collections: | №3 (97)
|
