Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/6923
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКорниенко, А. А.-
dc.contributor.authorДунина, Е. Б.-
dc.contributor.authorФомичева, Л. А.-
dc.date.accessioned2016-05-23T07:49:22Z-
dc.date.accessioned2017-07-27T12:07:40Z-
dc.date.available2016-05-23T07:49:22Z-
dc.date.available2017-07-27T12:07:40Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.citationКорниенко, А. А. Влияние возбужденных конфигураций на силы линий абсорбционных переходов иона тербия в оксидных кристаллах / А. А. Корниенко, Е. Б. Дунина, Л. А. Фомичева // Квантовая электроника : материалы Х Международной научно – технической конференции. (Минск, 9 – 13 ноября 2015 г.). – Минск : РИВШ, 2015. – С. 47 – 48.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/6923-
dc.description.abstractБольшой интерес к материалам, активированным ионами Tb3+, вызван перспективами создания твердотельного лазера, работающего на длине волны 544 нм. Излучение этой длины волны реализуется на переходе 5 7 4 5 DF . Время жизни метастабильного уровня 5D4 по разным литера- турным данным сильно изменяется в пределах от 1 мс до 5 мс. В связи с этим в данной работе выполнено описание сил линий абсорбционных переходов с учетом межконфигурационного взаимодействия.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherРИВШru_RU
dc.subjectпубликации ученыхru_RU
dc.titleВлияние возбужденных конфигураций на силы линий абсорбционных переходов иона тербия в оксидных кристаллахru_RU
dc.typeArticleru_RU
Appears in Collections:Публикации в изданиях Республики Беларусь

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
041103.PDF575.78 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.