Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/8802
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorМаренкин, С. Ф.-
dc.contributor.authorНоводворский, О. А.-
dc.contributor.authorБаранов, В. В.-
dc.contributor.authorТрухан, В. М.-
dc.contributor.authorШелковая, Т. В.-
dc.contributor.authorСтруц, А. М.-
dc.date.accessioned2016-09-19T13:14:40Z-
dc.date.accessioned2017-07-13T06:34:24Z-
dc.date.available2016-09-19T13:14:40Z-
dc.date.available2017-07-13T06:34:24Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationСинтез, электрические и магнитные свойства пленок эвтектического состава системы GaSb–MnSb = The synthesis, electric and magnetic properties of films with eftectic composition of GаSb-MnSb system / С. Ф. Маренкин [и др.] // Доклады БГУИР. – 2016. – № 5 (99). – С. 5–10.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/8802-
dc.description.abstractПриведены результаты технологии получения и исследования электрических, магнитных свойств пленок эвтектического состава системы GaSb-MnSb толщиной 80–130 нм, полученных импульсным лазерным осаждением с использованием механической сепарации капель на лейкосапфировых подложках.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectпленкаru_RU
dc.subjectэвтектика системыru_RU
dc.subjectполупроводник-ферромагнетикru_RU
dc.subjectантимонид галлияru_RU
dc.subjectантимонид марганцаru_RU
dc.subjectнамагниченностьru_RU
dc.subjectfilmru_RU
dc.subjecteutectic systemru_RU
dc.subjectsemiconductor-ferromagnetru_RU
dc.subjectgallium antimonideru_RU
dc.subjectmanganese antimonideru_RU
dc.subjectmagnetizationru_RU
dc.titleСинтез, электрические и магнитные свойства пленок эвтектического состава системы GaSb–MnSbru_RU
dc.title.alternativeThe synthesis, electric and magnetic properties of films with eftectic composition of GаSb-MnSb systemru_RU
dc.typeArticleru_RU
local.description.annotationThe results of the technology and electrical and magnetic properties study of eutectic GaSb-MnSb films are presented. Eutectic GaSb-MnSb films ranging in thickness from 80 to 130 nm have been grown on sapphire substrates by pulsed laser deposition using mechanical droplet separation-
Appears in Collections:№5 (99)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Marenkin_Sintez.PDF944.65 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.