| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Мищенко, В. Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-10-26T07:08:24Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-13T06:35:02Z | - |
| dc.date.available | 2016-10-26T07:08:24Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-13T06:35:02Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Мищенко, В. Н. Трехмерное моделирование выходных характеристик GaAs транзисторов с субмикронной длиной затвора = Three dimension modelling of output characteristics of gallium arsenide transistors with submicron length of the gate / В. Н. Мищенко // Доклады БГУИР. – 2016. – № 6 (100). – С. 113–116. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/9717 | - |
| dc.description.abstract | Рассмотрены вопросы моделирования основных выходных характеристик GaAs транзисторов диапазона КВЧ, которые находят широкое применение для создания приемопередающих устройств, усилителей и ряда других приборов. Для моделирования
использовалась разработанная программа, в которой реализован многочастичный метод Монте-Карло совместно с решением уравнения Пуассона для трехмерной области приборной структуры. Особенностью моделируемых GaAs транзисторов явился учет особого профиля легирования подзатворной области структуры, который может быть сформирован с помощью ионной имплантации и позволяет улучшить выходные характеристики. Исследование трехмерной структуры из материала GaAs позволило учесть
все геометрические размеры структуры и особенности формирования затвора и других контактных областей. В процессе моделирования анализировалось влияние прилагаемого постоянного смещения, особенностей формирования контактных областей структуры и ряд
других параметров на выходные характеристики транзисторов. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | транзистор | ru_RU |
| dc.subject | диапазоны СВЧ и КВЧ | ru_RU |
| dc.subject | арсенид галлия | ru_RU |
| dc.subject | метод Монте-Карло | ru_RU |
| dc.subject | transistor | ru_RU |
| dc.subject | gallium arsenide | ru_RU |
| dc.subject | Monte Carlo method | ru_RU |
| dc.title | Трехмерное моделирование выходных характеристик GaAs транзисторов с субмикронной длиной затвора | ru_RU |
| dc.title.alternative | Three dimension modelling of output characteristics of gallium arsenide transistors with submicron length of the gate | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | Modeling results of output static characteristics of gallium arsenide transistors for extreme high frequency range are given. Direct ion-implanted gallium arsenide transistors with the special profile under the gate are analyzed. Many particle Monte Carlo method with the solving of the Poisson equation are used for simulation of the three dimension structure with submicron length of the gate. Investigation of the gallium arsenide device provided the new results which connected with the influence of the geometrical size of the structure and features of gate construction to the output static characteristics. New modeling method of contact regions in device is presented for gallium arsenide transistors. | - |
| Appears in Collections: | №6 (100)
|
