| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Мищенко, В. Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-10-26T07:08:24Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-13T06:35:02Z | - |
| dc.date.available | 2016-10-26T07:08:24Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-13T06:35:02Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Мищенко, В. Н. Трехмерное моделирование выходных характеристик GaAs транзисторов с субмикронной длиной затвора / В. Н. Мищенко // Доклады БГУИР. - 2016. - № 6 (100). - С. 113 - 116. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/9717 | - |
| dc.description.abstract | Рассмотрены вопросы моделирования основных выходных характеристик GaAs
транзисторов диапазона КВЧ, которые находят широкое применение для создания
приемопередающих устройств, усилителей и ряда других приборов. Для моделирования
использовалась разработанная программа, в которой реализован многочастичный метод
Монте-Карло совместно с решением уравнения Пуассона для трехмерной области
приборной структуры. Особенностью моделируемых GaAs транзисторов явился учет
особого профиля легирования подзатворной области структуры, который может быть
сформирован с помощью ионной имплантации и позволяет улучшить выходные
характеристики. Исследование трехмерной структуры из материала GaAs позволило учесть
все геометрические размеры структуры и особенности формирования затвора и других
контактных областей. В процессе моделирования анализировалось влияние прилагаемого
постоянного смещения, особенностей формирования контактных областей структуры и ряд
других параметров на выходные характеристики транзисторов. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | транзистор | ru_RU |
| dc.subject | диапазоны СВЧ и КВЧ | ru_RU |
| dc.subject | арсенид галлия | ru_RU |
| dc.subject | метод Монте-Карло | ru_RU |
| dc.subject | transistor | ru_RU |
| dc.subject | gallium arsenide | ru_RU |
| dc.subject | Monte Carlo method | ru_RU |
| dc.title | Трехмерное моделирование выходных характеристик GaAs транзисторов с субмикронной длиной затвора | ru_RU |
| dc.title.alternative | Three dimension modelling of output characteristics of gallium arsenide transistors with submicron length of the gate | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | №6 (100)
|
