Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/2167
Название: Контроль остаточных напряжений в структурах Si–SiO2
Другие названия: Control of residual stresses in structures Si–SiO2
Авторы: Зеленин, В. А.
Ключевые слова: доклады БГУИР;остаточные напряжения;диоксид кремния-монокристаллическая кремниевая подложка
Дата публикации: 2012
Издательство: БГУИР
Описание: Зеленин, В. А. Контроль остаточных напряжений в структурах Si–SiO2 / В. А. Зеленин // Доклады БГУИР. - 2012. - № 8 (70). - С. 37 - 43.
Аннотация: Рассмотрены пути повышения точности контроля величины остаточных напряжений в структурах диоксид кремния-монокристаллическая кремниевая подложка. Приведены результаты определения уровня остаточных напряжений в структурах Si–SiO2.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/2167
Располагается в коллекциях:№8 (70)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Zelenin_Kontrol.PDF704.79 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание Просмотр статистики Google Scholar

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.