Please use this identifier to cite or link to this item:
https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/2167
| Title: | Контроль остаточных напряжений в структурах Si–SiO2 |
| Other Titles: | Control of residual stresses in structures Si–SiO2 |
| Authors: | Зеленин, В. А. |
| Keywords: | доклады БГУИР;остаточные напряжения;диоксид кремния-монокристаллическая кремниевая подложка |
| Issue Date: | 2012 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Зеленин, В. А. Контроль остаточных напряжений в структурах Si–SiO2 = Control of residual stresses in structures Si–SiO2 / В. А. Зеленин // Доклады БГУИР. – 2012. – № 8 (70). – С. 37–43. |
| Abstract: | Рассмотрены пути повышения точности контроля величины остаточных напряжений в структурах диоксид кремния-монокристаллическая кремниевая подложка. Приведены результаты определения уровня остаточных напряжений в структурах Si–SiO2. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/2167 |
| Appears in Collections: | №8 (70)
|
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
