Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30889
Title: Влияние свойств границы раздела Si-SiO2 на параметры транзистора
Authors: Алексеев, В. Ф.
Ковальков, Д. О.
Keywords: публикации ученых
поверхностная рекомбинация
граница раздела Si-SiO2
механизм влияния
коэффициент усиления
Issue Date: 2005
Publisher: Белорусский инженерная академия
Citation: Алексеев, В. Ф. Влияние свойств границы раздела Si-SiO2 на параметры транзистора / В. Ф. Алексеев, Д. О. Ковальков // Известия Белорусской инженерной академии. - Минск, 2005. – № 2 (20)/1. – С.51–55.
Abstract: Рассмотрено влияние поверхностного заряда на обратный ток транзистора, влияние скорости поверхностной рекомбинации окисленной поверхности транзистора на коэффициент усиления транзистора.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30889
Appears in Collections:Публикации в изданиях Республики Беларусь

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Alexeev_Effect.pdf411,9 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.