https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30889| Title: | Влияние свойств границы раздела Si-SiO2 на параметры транзистора |
| Authors: | Алексеев, В. Ф. Ковальков, Д. О. |
| Keywords: | публикации ученых;поверхностная рекомбинация;граница раздела Si-SiO2;механизм влияния;коэффициент усиления |
| Issue Date: | 2005 |
| Publisher: | Белорусский инженерная академия |
| Citation: | Алексеев, В. Ф. Влияние свойств границы раздела Si-SiO2 на параметры транзистора / В. Ф. Алексеев, Д. О. Ковальков // Известия Белорусской инженерной академии. - Минск, 2005. – № 2 (20)/1. – С.51–55. |
| Abstract: | Рассмотрено влияние поверхностного заряда на обратный ток транзистора, влияние скорости поверхностной рекомбинации окисленной поверхности транзистора на коэффициент усиления транзистора. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30889 |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Alexeev_Effect.pdf | 411.9 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.