https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30889| Название: | Влияние свойств границы раздела Si-SiO2 на параметры транзистора |
| Авторы: | Алексеев, В. Ф. Ковальков, Д. О. |
| Ключевые слова: | публикации ученых;поверхностная рекомбинация;граница раздела Si-SiO2;механизм влияния;коэффициент усиления |
| Дата публикации: | 2005 |
| Издательство: | Белорусский инженерная академия |
| Описание: | Алексеев, В. Ф. Влияние свойств границы раздела Si-SiO2 на параметры транзистора / В. Ф. Алексеев, Д. О. Ковальков // Известия Белорусской инженерной академии. - Минск, 2005. – № 2 (20)/1. – С.51–55. |
| Аннотация: | Рассмотрено влияние поверхностного заряда на обратный ток транзистора, влияние скорости поверхностной рекомбинации окисленной поверхности транзистора на коэффициент усиления транзистора. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30889 |
| Располагается в коллекциях: | Публикации в изданиях Республики Беларусь |
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Alexeev_Effect.pdf | 411.9 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.