https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/33072| Название: | Device and technology simulation of IGBT on SOI structure |
| Авторы: | Lovshenko, I. Yu. Nelayev, V. V. Belous, A. I. Turtsevich, A. |
| Ключевые слова: | материалы конференций;technology «Silicon–On-Insulator»;field transistors |
| Дата публикации: | 2013 |
| Издательство: | БГУИР |
| Описание: | Device and technology simulation of IGBT on SOI structure / I. Lovshenko and other // Nano-Design, Technology, Computer Simulation — NDTCS ’ 2013: proceedings of the 15th International Workshop on New Approaches to High-Tech, Minsk, June 11–15, 2013 / BSUIR. - Minsk, 2013. - P. 79 – 81. |
| Аннотация: | Static and dynamics characteristics of the power IGBT device at “Silicon-On-Insulate” structure were simulated. Analysis of the characteristics of such structure in comparison with the IGBT at the bulk silicon are presented. Advantages of IGBT device at SOI are revealed. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/33072 |
| Располагается в коллекциях: | NDTCS 2013 |
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Lovshenko_Device.pdf | 92.33 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.