Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем. В 2 ч. Ч. 2 : Мощные полупроводниковые приборы : учебное пособие

Abstract

В учебном пособии приводится подробный сравнительный анализ электрических характеристик различных приборов силовой электроники: тиристоров, биполярных и полевых транзисторов, с изолированным затвором. Рассматриваются электрические и конструктивные параметры гетеробиполярных и гетерополевых транзисторов на основе различных полупроводниковых материалов. Анализируются возможные потери мощности в КМОП ИМС в статическом и динамическом режимах ее работы и пути их минимизации. Приводится сравнительный анализ электрических параметров диодов Шоттки на основе кремния, арсенида галлия и карбида кремния. Учебное пособие может быть полезно магистрантам.