| Issue Date | Title | Author(s) |
| 2023 | Design optimization of the gallium nitride high electron mobility transistor with graphene and boron nitride heat-spreading elements | Volcheck, V.; Lovshenko, I.; Stempitsky, V. |
| 2022 | First-principles study of anisotropic thermal conductivity of GaN, AlN, and Al0.5Ga0.5N | Hvazdouski, D. C.; Baranava, M. S.; Stempitsky, V. R. |
| 2019 | Gallium nitride micro-LEDs: a novel, multi-mode, high-brightness and fast response display technology | Martin D. Dawson |
| 2019 | Iron-induced acceptor centers in the gallium nitride high electron mobility transistor: thermal simulation and analysis | Dao Dinh Ha; Trung Tran Tuan; Volcheck, V. S.; Stempitsky, V. R. |
| 2021 | Temperature dependence of the thermal conductivity of wurtzite aluminum nitride, gallium nitride and aluminum-gallium nitride | Volcheck, V. S.; Hvazdouski, D. C.; Baranava, M. S.; Stempitsky, V. R. |
| 2022 | Thermal conductivity of wurtzite gallium nitride | Volcheck, V. S.; Baranava, M. S.; Stempitsky, V. R. |
| 2020 | Компьютерное моделирование сенсоров токсичных наночастиц на основе гетероструктурного полевого транзистора | Волчёк, В. С.; Стемпицкий, В. Р. |
| 2021 | Нитрид-галлиевый гетероструктурный полевой транзистор с системой теплоотвода на основе канавки в слое пассивации, заполненной материалом с высокой теплопроводностью | Волчек, В. С.; Стемпицкий, В. Р. |
| 2017 | Технологические и конструктивные решения высокочастотных, мощных и оптоэлектронных приборов на основе нитрида галлия | Ловшенко, И. Ю.; Волчек, В. С.; Дао Динь Ха; Ханько, В. Т.; Омер, Д. С.; Стемпицкий, В. Р. |
