| Issue Date | Title | Author(s) |
| 2022 | Выращивание, структура и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Cu2ZnGeS4 | Боднарь, И. В.; Ящук, В. А.; Павловский, В. Н.; Яблонский, Г. П. |
| 2011 | Люминесценция p–i–n-структур на основе GaN, выращенных на сапфировой подложке | Ржеуцкий, Н. В.; Гурский, А. Л.; Луценко, Е. В.; Павловский, В. Н.; Яблонский, Г. П.; Стогний, А. И.; Калиш, Х.; Янсен, Р.; Хойкен, М.; Шинеллер, Б. |
| 2020 | Рост, структура и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Mn0.3Ag0.7In4.1S6.8 | Боднарь, И. В.; Павловский, В. Н.; Свитенков, И. Е.; Яблонский, Г. П. |
| 2021 | Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов AgIn8S12.5 | Боднарь, И. В.; Фещенко, А. А.; Хорошко, В. В.; Павловский, В. Н.; Свитенков, И. Е.; Яблонский, Г. П. |
| 2020 | Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Mn1.5AgIn8S14 | Боднарь, И. В.; Тхан, Ч. Б.; Павловский, В. Н.; Свитенков, И. Е.; Яблонский, Г. П. |
| 2019 | Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов MnAgIn7S12 | Боднарь, И. В.; Чан, Б. Т.; Павловский, В. Н.; Свитенков, И. Е.; Яблонский, Г. П. |
