Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/2012
Title: Люминесценция p–i–n-структур на основе GaN, выращенных на сапфировой подложке
Other Titles: Luminescence of GaN-based p–i–n-structures grown on sapphire substrate
Authors: Ржеуцкий, Н. В.
Гурский, А. Л.
Луценко, Е. В.
Павловский, В. Н.
Яблонский, Г. П.
Стогний, А. И.
Калиш, Х.
Янсен, Р.
Хойкен, М.
Шинеллер, Б.
Keywords: доклады БГУИР;фотолюминесценция;GaN;легирование;Mg;спектр;MOVPE;p–i–n- структура
Issue Date: 2011
Publisher: БГУИР
Citation: Люминесценция p–i–n-структур на основе GaN, выращенных на сапфировой подложке / Н. В. Ржеуцкий [и др.] // Доклады БГУИР. - 2011. - № 6 (60). - С. 19 - 25.
Abstract: Приведены результаты исследования оптических свойств серии образцов p–i–n-структур на основе нитрида галлия, различающихся условиями выращивания покровного слоя р-типа. Показано, что спектроскопия фотолюминесценции может применяться как экспрессный метод для сравнения слоев нитрида галлия, легированных магнием и выращенных при одинаковом соотношении Mg/Ga, по величине концентрации носителей заряда, а также позволяет судить о распределении примесей и дефектных центров по глубине структуры. Полученная информация способствует применению спектроскопии фотолюминесценции как экспрессного метода, используемого для оптимизации роста структур на основе GaN.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/2012
Appears in Collections:№6 (60)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Rzheutskiy_Lyuminestsentsiya.PDF572.17 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.