| Issue Date | Title | Author(s) |
| 2022 | Выращивание и свойства полупроводниковых монокристаллов твердых растворов (In2S3)x•(AgIn5S8)1-x | Фещенко, А. А. |
| 2020 | Выращивание, структура и спектры пропускания монокристаллов Agin7S11 | Фещенко, А. А. |
| 2018 | Имитационное моделирование деградации солнечных батарей на основе поликристаллического кремния | Фещенко, А. А. |
| 2021 | Исследование твердых растворов (In2S3)х•(AgIn5S8)1-х | Боднарь, И. В.; Фещенко, А. А.; Хорошко, В. В.; Bodnar, I. V.; Feshchenko, A. A.; Khoroshko, V. V. |
| 2023 | Методы получения и исследование физико-химических и магнитных свойств полупроводниковых монокристаллов соединений группы MⅡB2ⅢC4Ⅵ и твердых растворов на их основе : монография | Боднарь, И. В.; Хорошко, В. В.; Фещенко, А. А. |
| 2022 | Организация информационно-компьютерных систем и сетей. Курсовое проектирование : пособие | Шнейдеров, Е. Н.; Фещенко, А. А.; Боровиков, С. М. |
| 2021 | Поверхностно-барьерные структуры на основе твердых растворов (In2S3)х•(AgIn5S8)1–х | Фещенко, А. А.; Хорошко, В. В. |
| 2021 | Система для роста монокристаллов соединений группы A1IN5S8, IN2S3 и твердых растворов на их основе (A1IN5S8)1-x – (IN2S3)x | Боднарь, И. В.; Фещенко, А. А.; Хорошко, В. В. |
| 2021 | Способы получения объемных структур соединений группы (AⅠ In5S8)1-x – (In2S3)x | Фещенко, А. А. |
| 2021 | Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов AgIn8S12.5 | Боднарь, И. В.; Фещенко, А. А.; Хорошко, В. В.; Павловский, В. Н.; Свитенков, И. Е.; Яблонский, Г. П. |
| 2020 | Ширина запрещенной зоны монокристаллов твердых растворов (In2S3)x(AgIn5S8)1-x | Боднарь, И. В.; Фещенко, А. А.; Хорошко, В. В. |
| 2022 | Электрические и электронные компоненты устройств и систем. Лабораторный практикум : пособие | Хорошко, В. В.; Боровиков, С. М.; Фещенко, А. А.; Соловьёв, Я. А. |
| 2019 | Электрические и электронные компоненты устройств и систем : учеб.- метод. пособие | Баранов, В. В.; Хорошко, В. В.; Гременок, В. Ф.; Бересневич, А. И.; Фещенко, А. А. |
