https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/49926| Title: | Система для роста монокристаллов соединений группы A1IN5S8, IN2S3 и твердых растворов на их основе (A1IN5S8)1-x – (IN2S3)x |
| Other Titles: | Пат. 12551 U Респ. Беларусь |
| Authors: | Боднарь, И. В. Фещенко, А. А. Хорошко, В. В. |
| Keywords: | патенты;монокристаллы;выращивание кристаллов |
| Issue Date: | 2021 |
| Publisher: | Национальный центр интеллектуальной собственности |
| Citation: | Система для роста монокристаллов соединений группы A1IN5S8, IN2S3 и твердых растворов на их основе (A1IN5S8)1-x – (IN2S3)x : пат. 12551 U Респ. Беларусь : МПК (2006) C 30B 11/04 / Боднарь И. В., Фещенко А. А., Хорошко В. В. ; заявитель и патентообладатель УО Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – № u 20200223 ; заявл. 11.09.2020 ; опубл. 28.02.2021. – 3 с. |
| Abstract: | Полезная модель относится к области выращивания кристаллов из расплава методом Бриджмена, вертикальный вариант, в частности к системам их получения, и может быть использована для роста крупноблочных полупроводниковых монокристаллов с определенными физическо-химическими свойствами, на основе которых будут созданы приборы с новыми функциональными возможностями. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/49926 |
| Appears in Collections: | Полезные модели |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Pat_12551.pdf | 386.87 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.