https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/10509| Title: | Моделирование дрейфовой скорости электронов в GaAs/AlxGa1-xAs гетероструктуре с использованием метода Монте-Карло |
| Authors: | Мищенко, В. Н. |
| Keywords: | публикации ученых;дрейфовая скорость электронов;арсенид галлия;метод Монте-Карло;диапазоны СВЧ и КВЧ |
| Issue Date: | 2015 |
| Publisher: | БГУ |
| Citation: | Мищенко, В. Н. Моделирование дрейфовой скорости электронов в GaAs/AlxGa1-xAs гетероструктуре с использованием метода Монте-Карло / В. Н. Мищенко // 10-я Международная научно-техническая конференция КВАНТОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА (Минск, 9–13 ноября 2015 г.). - Минск: БГУ, 2015. – C. 111 - 112. |
| Abstract: | Исследованы процессы переноса электронов в GaAs/AlxGa1-xAs гетеро-структуре с использованием метода Монте-Карло. Модели-рование таких структур является актуальной задачей, которая связана с разработкой быстродействующих приборов диапазонов СВЧ и КВЧ. Для анализа физических процессов был использован статисти-ческого метода Монте-Карло, который позволяет учесть все механизмы рассеяния носи-телей заряда в полупроводнике. |
| Alternative abstract: | We investigated the electron transfer processes in GaAs / AlxGa1-xAs hetero-structure by using the Monte Carlo method. Modeling of such structures is an important task, which is associated with the development of high-speed devices SHF and EHF bands. To analyze the physical processes was used- statistical Monte Carlo method, which allows to take into account all the scattering mechanisms of charge in the semiconductor. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/10509 |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.