Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11005
Title: Влияние частоты поверхности на процесс самоорганизации нанокластеров SiGe
Authors: Ковалевский, А. А.
Строгова, А. С.
Комар, О. М.
Keywords: публикации ученых;нанокластеры;кремниевая подложка;трансформация размеров;монослой SiGe
Issue Date: 2016
Publisher: РФФИ; Санкт-Петербург
Citation: Ковалевский А. А. Влияние частоты поверхности на процесс самоорганизации нанокластеров SiGe / А. А. Ковалевский, А. С. Строгова, О. М. Комар // Сборник трудов Х Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (Санкт-Петербург, 4-7 июля 2016 г.). - Санкт-Петербург, 2016. - С. 72 - 73.
Abstract: Последовательная абсорбция одного или двух монослоев германия приводит к образованию нанокластеров SiGe, причем вначале наблюдается быстрое формирование первого монослоя SiGe, а затем более медленное формирование, второго и третьего монослоев SiGe. Установлена эволюция изменения рельефа как поверхности после различных типов обработки, так и нанокластеров, на поверхности исходных подложек с изменением условий обработки исходных подложек. Таким образом, степень совершенства поверхности следует рассматривать как существенную часть общей задачи приготовления чистой поверхности перед процессом формирования нанокластеров SiGe и подавления их трансформации от наноразмеров к микроразмерам.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11005
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
vlianie.docx16.51 kBMicrosoft Word XMLView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.