Влияние частоты поверхности на процесс самоорганизации нанокластеров SiGe

Abstract

Последовательная абсорбция одного или двух монослоев германия приводит к образованию нанокластеров SiGe, причем вначале наблюдается быстрое формирование первого монослоя SiGe, а затем более медленное формирование, второго и третьего монослоев SiGe. Установлена эволюция изменения рельефа как поверхности после различных типов обработки, так и нанокластеров, на поверхности исходных подложек с изменением условий обработки исходных подложек. Таким образом, степень совершенства поверхности следует рассматривать как существенную часть общей задачи приготовления чистой поверхности перед процессом формирования нанокластеров SiGe и подавления их трансформации от наноразмеров к микроразмерам.