Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11047
Title: Биполярный транзистор с изолированным затвором, изготовленный в объемном кремнии и по технологии «Кремний на изоляторе»
Other Titles: Insulated-gate bipolar transistor formed in the bulk silicon and using «Silicon on insulator» technology
Authors: Шелибак, И.
Ловшенко, И. Ю.
Стемпицкий, В. Р.
Shelibak, I.
Lovshenko, I. Yu.
Stempitsky, V. R.
Keywords: доклады БГУИР
биполярный транзистор
конструкция
технология изготовления
динамические характеристики
isolated gate bipolar transistor
structure
manufacturing technology
static and dynamic characteristics
Issue Date: 2016
Publisher: БГУИР
Citation: Шелибак, И. Биполярный транзистор с изолированным затвором, изготовленный в объемном кремнии и по технологии «Кремний на изоляторе» / И. Шелибак, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий // Доклады БГУИР. – 2016. – № 8 (102). – С. 89 – 93.
Abstract: Представлены результаты оптимизации конструктивно-технологических параметров приборных структур биполярного транзистора с изолированным затвором (БТИЗ), сформированного в стандартном кремнии и по технологии «Кремний на изоляторе» (КНИ). Рассмотрены особенности функционирования различных конструктивных решений БТИЗ. Предложена и исследована конструкция БТИЗ на КНИ структуре с несколькими затворами, что обеспечивает ступенчатое изменение коммутируемого тока.The results of the optimization of design and technological parameters device structures insulated- gate bipolar transistor (IGBT), formed in bulk silicon and using «Silicon on Insulator» (SOI) technology are presented. The specific features of the functioning of various constructive solutions IGBT are studied. A construction of SOI-IGBT structure with multiple gates, which allows a step change in the switched current, is suggested and investigated.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11047
Appears in Collections:№8 (102)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Shelibak_Bipolyarniy.PDF638,01 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.