Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11159
Название: Формирование пленок нитрида титана методом реактивного магнетронного распыления при пониженном давлении
Другие названия: Formation of titanium nitride films by reactive magnetron sputtering under low pressure
Авторы: Достанко, А. П.
Голосов, Д. А.
Завадский, С. М.
Мельников, С. Н.
Окоджи, Д. Э.
Котинго, Д. Д.
Рубан, Г. М.
Ключевые слова: публикации ученых
реактивное магнетронное распыление
нитрид титана
микротвердость
коэффициент трения
объемный износ
reactive magnetron sputtering
titanium nitride
Дата публикации: 2016
Издательство: Гомельский государственный университет им. Ф. Скорины
Библиографическое описание: Достанко, А. П. Формирование пленок нитрида титана методом реактивного магнетронного распыления при пониженном давлении / А. П. Достанко и другие // Проблемы физики, математики и техники. - 2016. - Т. 27, № 2. - С. 12-17.
Краткий осмотр (реферат): Проведены исследования процесса реактивного магнетронного распыления титана в среде Ar/N2 рабочих газов при пониженном давлении. Установлено, что при высоковакуумном режиме работы магнетронной распылительной системы и высоких скоростях откачки в режиме стабилизации мощности разряда магнетрона напряжение разряда практически однозначно зависит от содержания реактивного газа в камере, т. е. отсутствует гистерезис характеристик, свойственный процессам реактивного распыления. При этом возможно воспроизводимое нанесение слоев нитрида титана c удельным сопротивлением менее 70 мкОм×см и твердостью свыше 28 ГПа.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11159
Располагается в коллекциях:Публикации в изданиях Республики Беларусь

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
12092.PDF904,82 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.