https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11909| Title: | Reactive ion etching parameters optimization in victory process |
| Authors: | Volchek, V. S. |
| Keywords: | материалы конференций;reactive ion;victory process;etching parameters optimization |
| Issue Date: | 2015 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Volchek, V. S. Reactive ion etching parameters optimization in victory process / V. S. Volchek // Компьютерное проектирование и технология производства электронных систем : сборник материалов 51-ой научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 13–17 мая 2015 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2015. – С. 187. |
| Abstract: | A simulation of reactive ion etching (RIE) was carried out using Victory Process of Silvaco to study the influence of input parameters such as ion beam focus and ions/neutrals ratio on the etch profile in silicon. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11909 |
| Appears in Collections: | Компьютерное проектирование и технология производства электронных систем : материалы 51-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2015) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Volchek_Reactive.PDF | 704.71 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.