Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/12228
Title: Солнечные элементы с CuxInxZn2-2xSe2 поглощающим слоем
Authors: Хорошко, В. В.
Цырельчук, И. Н.
Гременок, В. Ф.
Петлицкий, А. Н.
Keywords: публикации ученых;CuxInxZn2-2xSe2;тонкие пленки;солнечные элементы;физические характеристики;thin films;solar cells;physical characteristics;efficiency
Issue Date: 2015
Publisher: ГГУ, Беларусь
Citation: Солнечные элементы с CuxInxZn2-2xSe2 поглощающим слоем / В. В. Хорошко [ и др.] // Проблемы физики, математики и техники. - 2015. - № 4 (25). - С. 41 - 44.
Abstract: Сформированы тонкопленочные солнечные элементы c поглощающим слоем CuxInxZn2-2xSe2 (CIZS) на стеклянных подложках. Данный полупроводниковый материал удовлетворяет как физическим требованиям к материалам фото-электрических преобразователей, так и требованиям снижения стоимости производства солнечных элементов. Предва- рительные результаты исследований показали, что стекло/Mo/CuxInxZn2-2xSe2/CdS/ZnO/Al-Ni тонкопленочные солнеч- ные элементы могут обладать эффективностью более 10%. Thin-film solar cells with the CuxInxZn2-2xSe2 (CIZS) absorber layer of on glass substrates are created. The given semiconductor material satisfies physical requirements for materials for photo-electric converters, and requirements for depreciation of solar cells production. Preliminary results of researches showed that glass/Mo/CuxInxZn2-2xSe2/CdS/ZnO/Al-Ni thin film solar cells can possess efficiency more than 10%
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/12228
Appears in Collections:Публикации в изданиях Республики Беларусь

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Khoroshko_Solar.pdf676.69 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.