Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/12242
Title: Оптимизация параметров поглощающего слоя СuxInxZn2-2xSe2 для тонкопленочных солнечных элементов
Authors: Хорошко, В. В.
Цырельчук, И. Н.
Гременок, В. Ф.
Залесский, В. Б.
Ходин, А. А.
Keywords: публикации ученых
солнечный элемент
халькопирит
моделирование
solar cells
modelling
chalcopyrite
Issue Date: 2014
Publisher: НАН Беларуси
Citation: Хорошко, В. В. Оптимизация параметров поглощающего слоя СuxInxZn2-2xSe2 для тонкопленочных солнечных элементов / В. В. Хорошко и другие // Известия национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук. - 2014. - № 2. - С. 88 - 93.
Abstract: Приводятся результаты моделирования влияния основных параметров поглощающего слоя CuxInxZn2-2xSe2на ток короткого замыкания, напряжение холостого хода, коэффициент заполнения и КПД тонкопленочных солнечных элементов. На основании данных, полученных моделированием, сделаны выводы об оптимальных значениях параметров слоев CuxInxZn2-2xSe2.The results of modeling the influence of the main parameters of the absorbing layer CuxInxZn2-2xSe2 on the short-circuit current, the idling voltage, the duty cycle and the efficiency of thin-film solar cells are presented. Based on the data obtained by modeling, conclusions are drawn about the optimum values of the parameters of the layers CuxInxZn2-2xSe2.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/12242
Appears in Collections:Публикации в изданиях Республики Беларусь

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Horoshko_Optimizatsiya.pdf444.86 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.