Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/13464
Title: Внутренние элементы защиты интегральных схем от воздействия электростатических разрядов
Authors: Быковский, С. И.
Шинтар, А. В.
Пискун, Г. А.
Алексеев, В. Ф.
Keywords: публикации ученых;электростатический разряд;интегральная схема;МОП-транзистор;подложка
Issue Date: 2015
Publisher: Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г. Ф. Морозова (ВГЛТУ)
Citation: Внутренние элементы защиты интегральных схем от воздействия электростатических разрядов / С. И. Быковский [и др.] // Актуальные направления научных исследований XXI века: теория и практика. - 2015. - № 7 (18-1). - С. 195 - 198.
Abstract: Представлена классификация базовых встроенных элементов защиты интегральных схем. Исследованы свойства защиты на базе МОП-транзистора: n-МОП транзистора с заземленным затвором (Grounded Gate NMOS Transistor, GGNMOST).
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/13464
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Bykovskiy_Vnutrenniye.pdf563.83 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.